Samsung, 200’den fazla katmana sahip olacak katı hal depolama aygıtları için daha yüksek performans ve bit yoğunlukları sağlayacak 8. Jenerasyon V-NAND belleklerin seri üretimine başlayacağını duyurdu. Teknoloji devi aslında 2013 yılında 24 katmanlı V-NAND flash yongalarıyla birlikte rakiplerinden öndeydi. Başka şirketlerin yetişmesi vakit aldı, lakin artık birçok bellek üreticisi yüksek katmanlı yongalar sunabiliyor.
Micron 232 katman, SK Hynix ise 238 katmanlı 3D TLC NAND çipleriyle Samsung’un önüne geçmişti. Lakin Güney Koreli dev yerinde durmuyor ve 236 katmanlı 3D NAND (V-NAND markalı) teknolojisi için toplu üretime başlıyor.
Bugün Samsung’un 7. Jenerasyon V-NAND teknolojisi esasen 2.0 GT/s’ye kadar arayüz suratları sunuyor. Şirketin yeni kuşak ile arayüz suratını daha da artırmasını bekliyoruz. Ayrıyeten program blok boyutuyla birlikte NAND performansının artması ve okuma sürecindeki gecikmelerin azalması olası. Ancak ne yazık ki şirket kesin özellikleri sağlamadı.
Artan NAND katmanı bazen flash bellek ölçeklendirmesinin kolay bir yolu olarak kabul edilse de, durum her vakit bu türlü değil. NAND katmanlarını daha ince (ve münasebetiyle daha küçük hücreler) yapmak ve bitleri daha emniyetli halde depolamak için yeni materyaller kullanmak gerekir. Ayrıyeten yüzlerce katmanı aşındırmak sıkıntı olduğundan, 3D NAND üreticilerinin yüzlerce katmanla 3D NAND oluşturmak için dizi istifleme (string stacking) tekniklerini benimsemesi gerekiyor. Samsung, 176 katmanlı V7-NAND ile dizi istiflemeyi şimdi benimsemedi, lakin teknolojinin 236 katmanlı V8-NAND için kullanılıp kullanılmayacağı şimdi belirli değil.
